继INFINEON 1988年推出COOLMOS后,2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构,使500V,12A的MOSFET可封装在TO - 220管壳内,导通电阻为0.35Ω,低于IRFP450的0.4Ω,电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有使用COOLMOS技术的MOSFET。IR公司也推出了SUP-PER220,SUPPER247封装的超级MOSFET,额定电流分别为35、59A,导通电阻分别为0.082、0.045Ω,150℃时导通压降约4.7V。从综合指标看,这些MOSFET均优于常规MOSFET,并不是因为随管芯面积增加,导通电阻就成比例地下降。因此,可以认为,以上的MOSFET一定存在类似横向电场的特殊结构,可以看到,设法降低高压MOSFET的导通压降已经成为现实,并且必将推动高压MOSFET的应用。